Транзистор 2N2190.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N2190

Корпус транзистора 2N2190

Транзистор 2N2190 — биполярный, германиевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Аналогом данного транзистора является транзистор NTE160. Тип корпуса TO-206AG.


Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N2190 25/60 30 125 40 60 1,5 9 60 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Elm State Electronics lnc Elm State
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Solid State Industries Inc SldSt Indus
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.