Транзистор 2N123.

Поиск по сайту

2N123

Корпус транзистора 2N123

Транзистор 2N123 — это германиевый биполярный P-N-P типа низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса Can. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE100, SK3721.

Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N123 15/20 125 150 30 150 10 1 8 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
Solid State Inc Solid Stinc
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.