Транзистор 2N525.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N525

Корпус транзистора 2N525

Транзистор 2N525 — биполярный, германиевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE102, SK3722, 2N43A*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N525 30/45 500 225 34 65 20 1 1 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Comset Semiconductors, SPRL Comset Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Digitron Electronic Corp Digitron
Elm State Electronics lnc Elm State
Germanium Power Devices Corp Germanium Corp
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Solid State Inc Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.