
Транзистор 2N5400 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE288, SK3867A, PMBT5401, 2N3905, A5T3497*, A5T5400*.
Технические данные (datasheet)| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | fгр МГц |
Изготовитель | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | IК мА |
UКЭ В |
Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||
| 2N5400 | 120/130 | 600 | 350 | 100 | American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC | ||||
| Advanced Semiconductor tnc | Advncd Semi | |||||||||
| Allegro Microsystems Inc | AlegroMicro | |||||||||
| Central Semiconductor Corp | CentralSemi | |||||||||
| Continental Device India Ltd | Contin Dev | |||||||||
| Crimson Semiconductor Inc | CrimsonSimi | |||||||||
| Digitron Electronic Corp | Digitron | |||||||||
| Elm State Electronics lnc | Elm State | |||||||||
| Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA | Indust Mexi | |||||||||
| KSL Microdevices Ing | KSL Micro | |||||||||
| Micro Electronics Ltd | Micro Еlecs | |||||||||
| Motorola Semiconductor Products Inc | Motorola | |||||||||
| NAS Etektronische Halbleiter Gmbh | NAS Elekt | |||||||||
| National Semiconductor Corp | Natl Semi | |||||||||
| Phitips International BV/Philips Components | PhilipsComp | |||||||||
| Samsung Electronics Inc | Samsung | |||||||||
| Semiconductor Technology Inc | SemiconTech | |||||||||
| Solid State Inc | Solid Stinc | |||||||||
| Swampscott Electronics Со Inc | Swampscott | |||||||||
| Toshiba America Electronic Components Inc | ToshibaAmer | |||||||||
| Transistor Со | Transistor | |||||||||
| Space Power Electronics Inc | Space Power | |||||||||
Цоколёвка| Тип | Номера выводов | ||
|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | |
| 3 вывода | C | B | E |
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.