Транзистор 2N5262.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N5262

Корпус транзистора 2N5262

Транзистор 2N5262 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-39. Аналоги данного транзистора это транзисторы: 2N5152, 2N5152S, 2N5154, 2N5154S, 2N5414, 2N5861, 2SD590, TIP502.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N5262 50/75 2000 800 25 250 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Central Semiconductor Corp Calogic
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Semicoa Semicoa
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Solid State Inc Solid Stinc
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.