Транзистор 2N5220.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N5220

Корпус транзистора 2N5220

Транзистор 2N5220 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE123AP, SK3122, A5T5220*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N5220 15/15 500 620 30 50 10 100 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Allegro Microsystems Inc AlegroMicro
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Continental Device India Ltd Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
KSL Microdevices Ing KSL Micro
Micro Electronics Ltd Micro Еlecs
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Solid State Inc Solid Stinc
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода C B E


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.