Транзистор 2N520.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N520

Корпус транзистора 2N520

Транзистор 2N520 — биполярный, германиевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE100, SK3721.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N520 12/15 100 3 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Germanium Power Devices Corp Germanium Corp
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
High Voltage Semiconductor Ing High Volt
Solid State Industries Inc SldSt Indus
Solid State Inc Solid Stinc
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.