Транзистор 2N4895.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N4895

Корпус транзистора 2N4895

Транзистор 2N4895 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-39.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N4895 60/120 5000 800 40 2000 2 50 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
API Electronics Inc APIElectron
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
РРС Products Corp PPC Product
Semicoa Semicoa
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Silicon Transistor Corp SiliconTran
Solid State Inc Solid Stinc
Solitron Devices Inc Solitron
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.