Транзистор 2N4878.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N4878

Корпус транзистора 2N4878

Транзистор 2N4878 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-71. Аналог данного транзистора это транзистор 2N2060.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N4878 60/60 10 300 225 1 5 20 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Calogic Corp Calogic
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4 5 6 7 8
8 выводов C1 B1 E1 No Pin E2 B2 C2 No Pin


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.