Транзистор 2N3900.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3900

Корпус транзистора 2N3900

Транзистор 2N3900 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-98. Аналоги данного транзистора: NTE199, SK3124A, 2N5210.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N3900 18/18 100 200 250 2 4,5 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Allegro Microsystems Inc AlegroMicro
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Continental Device India Ltd Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
KSL Microdevices Ing KSL Micro
Micro Electronics Ltd Micro Еlecs
Semiconductors Inc Semi Inc
Solid State Inc Solid Stinc
Syntar Industries Inc Syntar Ind
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E C B


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.