
Транзистор 2N3877 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора: NTE199, SK3854, 2N5550, PMBT5550, THC3877.
Технические данные (datasheet)| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | fгр МГц |
Изготовитель | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | IК мА |
UКЭ В |
Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||
| 2N3877 | 70/70 | 50 | 200 | 20 | 2 | 4,5 | American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC | ||
| Advanced Semiconductor tnc | Advncd Semi | |||||||||
| Allegro Microsystems Inc | AlegroMicro | |||||||||
| Continental Device India Ltd | Contin Dev | |||||||||
| Hi-Tron Semiconductor | Hi-Tron | |||||||||
| KSL Microdevices Ing | KSL Micro | |||||||||
| New Jersey Semi-Conductor Products Inc | New Jersey | |||||||||
| Semiconductor Technology Inc | SemiconTech | |||||||||
| Transistor Со | Transistor | |||||||||
| Space Power Electronics Inc | Space Power | |||||||||
Цоколёвка| Тип | Номера выводов | ||
|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | |
| 3 вывода | E | B | C |
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.