Транзистор 2N3637.
Транзистор 2N3637 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-5.
Технические данные ( datasheet )| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | fгр МГц |
Изготовитель | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | IК мА |
UКЭ В |
Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||
| 2N3637 | 175/175 | 1000 | 1000 | 100 | 300 | 50 | 10 | 200 | American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC |
| Advanced Semiconductor tnc | Advncd Semi | |||||||||
| Comset Semiconductors, SPRL | Comset Semi | |||||||||
| Continental Device India Ltd | Contin Dev | |||||||||
| Crimson Semiconductor Inc | CrimsonSimi | |||||||||
| Elm State Electronics lnc | Elm State | |||||||||
| Hi-Tron Semiconductor | Hi-Tron | |||||||||
| Microsemi Corp | Microsemi | |||||||||
| Motorola Semiconductor Products Inc | Motorola | |||||||||
| New England Semiconductor | New Eng SC | |||||||||
| Semelab Plc | Semelab | |||||||||
| Semicoa | Semicoa | |||||||||
| Semiconductor Technology Inc | SemiconTech | |||||||||
| Solid State Devices Inc | Sld St Dvcs | |||||||||
| Solid State Industries Inc | SldSt Indus | |||||||||
| Solid State Inc | Solid Stinc | |||||||||
| Teledyne Inc/Teledyne Crystalonics | TeledynCrys | |||||||||
| Transistor Со | Transistor | |||||||||
| United-Page Inc, UPI Semiconductor Division | UPI Semi | |||||||||
| Space Power Electronics Inc | Space Power | |||||||||
Цоколёвка| Тип | Номера выводов | ||
|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | |
| 3 вывода | E | B | C |
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.