Транзистор 2N3634.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N3634

Корпус транзистора 2N3634

Транзистор 2N3634 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-5.




Технические данные ( datasheet )


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N3634 140/140 1000 1000 50 150 50 10 150 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
Micro Electronics Ltd Micro Еlecs
Microsemi Corp Microsemi
Motorola Semiconductor Products Inc Motorola
New England Semiconductor New Eng SC
Semelab Plc Semelab
Semiconductors Inc Semi Inc
Semicoa Semicoa
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Solid State Devices Inc Sld St Dvcs
Solid State Industries Inc SldSt Indus
Solid State Inc Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Teledyne Inc/Teledyne Crystalonics TeledynCrys
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.