Транзистор MM2260.

Поиск по сайту

В справочнике по транзисторам представлена информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах.

Описание транзистора MM2260.
Справочные данные.

Корпус транзистора MM2260

Транзистор MM2260 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц), проводимость типа NPN, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора — транзисторы: NTE154, 2N3439, BF259.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
MM2260 175/175 300 1000 50 10 10 150 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.