В справочнике по транзисторам представлена информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах.
Транзистор TR801 — низкочастотный ( FГР < 30 МГц), проводимость типа PNP, биполярный, германиевый (Ge), малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт).
| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | fгр МГц |
Изготовитель | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | IК мА |
UКЭ В |
Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||
| TR801 | /12 | 100 | 90 | 2,5 | American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC | ||||
| Hybrid Semiconductors & Electronics | Hybrid Semi | |||||||||
UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.
IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.