В справочнике по транзисторам представлена информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах.

Транзистор MPSA42 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц), проводимость типа NPN, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора — транзисторы: NTE287, SK3433, PMBTA42, SMBTA42, S920TS, TMPTA42.
| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | fгр МГц |
Изготовитель | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | IК мА |
UКЭ В |
Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||
| MPSA42 | 300/300 | 500 | 625 | 40 | 30 | 10 | 50 | Allegro Microsystems Inc | AlegroMicro | |
| American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC | |||||||||
| Central Semiconductor Corp | CentralSemi | |||||||||
| Continental Device India Ltd | Contin Dev | |||||||||
| Crimson Semiconductor Inc | CrimsonSimi | |||||||||
| Diodes Inc | Diodes Inc | |||||||||
| Fairchild Semiconductor Corp | FairchildSC | |||||||||
| Micro Electronics Ltd | Micro Еlecs | |||||||||
| Mistral SPA | Mistral SpA | |||||||||
| Motorola Semiconductor Products Inc | Motorola | |||||||||
| NAS Etektronische Halbleiter Gmbh | NAS Elekt | |||||||||
| National Semiconductor Corp | Natl Semi | |||||||||
| Phitips International BV/Philips Components | PhilipsComp | |||||||||
| Semelab Plc | Semelab | |||||||||
| Semiconductors Inc | Semi Inc | |||||||||
| Semiconductor Technology Inc | SemiconTech | |||||||||
| Intex Со Inc/Semitronics Corp | Semitronics | |||||||||
| Siemens Aktiengeselischaft | Siemens Akt | |||||||||
| Solid State Inc | Solid Stinc | |||||||||
| Swampscott Electronics Со Inc | Swampscott | |||||||||
| Toshiba America Electronic Components Inc | ToshibaAmer | |||||||||
| Taiwan Liton Electronic Со Ltd | TwLitonEIec | |||||||||
| Тип | Номера выводов | ||
|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | |
| 3 вывода | C | B | E |
UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.
IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.