Транзистор 2N5541.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N5541

Корпус транзистора 2N5541

Транзистор 2N5541 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-5. Аналог данного транзистора это транзистор NTE198.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N5541 130/175 5000 1200 30 90 5000 5 20 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
API Electronics Inc APIElectron
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
General Transistor Corp Gnrl Trans
New England Semiconductor New Eng SC
РРС Products Corp PPC Product
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Silicon Transistor Corp SiliconTran
Solitron Devices Inc Solitron
Square D Со/General Semiconductor Industries Inc SqDGnrlSemi
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E C B


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.