Транзистор 2N342.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N342

Корпус транзистора 2N342

Транзистор 2N342 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-11. Аналоги данного транзистора: NTE192, SK3024.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N342 60/60 60 1000 11 40 10 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Digitron Electronic Corp Digitron
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Solid State Devices Inc Sld St Dvcs
Solid State Inc Solid Stinc
Syntar Industries Inc Syntar Ind
Teledyne Inc/Teledyne Crystalonics TeledynCrys
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.