Транзистор 2N2412.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N2412

Корпус транзистора 2N2412

Транзистор 2N2412 — биполярный, кремниевый, высокочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Аналоги данного транзистора: SK3466, NTE159. Тип корпуса TO-18.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N2412 20/25 100 300 40 120 10 0,5 140 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Elm State Electronics lnc Elm State
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
New Jersey Semi-Conductor Products Inc New Jersey
Semelab Plc Semelab
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Solid State Industries Inc SldSt Indus
Solid State Inc Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.