Транзистор 2N216.

Описание транзистора 2N216

Транзистор 2N216 — германиевый, биполярный, низкочастотный (F_ГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, малой мощности ( P_К,МАКС < 300 мВт). Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE103A, SK3835. Тип корпуса TO-22.

Технические данные (datasheet)

Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э		IК мА	UКЭ В	fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.				Название (полное)	Название (сокращёное)
2N216	15/	50						2	American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
									Hi-Tron Semiconductor	Hi-Tron
									Solid State Systems	Sld St Syst
									Transistor Со	Transistor
									Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип	Номера выводов
	1	2	3
3 вывода	C	B	E

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.