Транзистор 2N2107.

Описание транзистора 2N2107

Транзистор 2N2107 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( F_ГР < 30 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт). Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE128, SK3024. Тип корпуса TO-5.

Технические данные (datasheet)

Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э		IК мА	UКЭ В	fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.				Название (полное)	Название (сокращёное)
2N2107	60/60	500	1000	30	90	200	10		American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
									Central Semiconductor Corp	CentralSemi
									Hi-Tron Semiconductor	Hi-Tron
									РРС Products Corp	PPC Product
									Semicoa	Semicoa
									Semiconductor Technology Inc	SemiconTech
									Solid State Devices Inc	Sld St Dvcs
									Solid State Industries Inc	SldSt Indus
									Solid State Inc	Solid Stinc
									Transistor Со	Transistor
									Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип	Номера выводов
	1	2	3
3 вывода	E	B	C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.