Транзистор 2N1381.

Поиск по сайту

2N1381

Корпус транзистора 2N1381

Транзистор 2N1381 — это германиевый биполярный P-N-P типа низкочастотный (FГР < 30 МГц) транзистор малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналогом данного транзистора является транзистор NTE102.




Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N1381 25/25 200 250 27 330 50 1 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Digitron Electronic Corp Digitron
Elm State Electronics lnc Elm State
Germanium Power Devices Corp Germanium Corp
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Intex Со Inc/Semitronics Corp Semitronics
Solid State Industries Inc SldSt Indus
Solid State Inc Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Syntar Industries Inc Syntar Ind
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.