Транзистор 2N1301.

Поиск по сайту

2N1301

Корпус транзистора 2N1301

Транзистор 2N1301 — это германиевый биполярный P-N-P типа высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-9. Аналогом данного транзистора является транзистор NTE160.

Технические данные (даташит)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э IК
мА
UКЭ
В
fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. Название (полное) Название (сокращённое)
2N1301 12/13 100 150 30 50 10 0,3 35 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Digitron Electronic Corp Digitron
Elm State Electronics lnc Elm State
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
Solid State Inc Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Syntar Industries Inc Syntar Ind
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.