
Транзистор 2G301 — это низкочастотный (FГР < 30 МГц) германиевый транзистор P-N-P типа малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса ТО-1. Аналогом данного транзистора является транзистор NTE160.
Технические данные (даташит)| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | IК мА |
UКЭ В |
fгр МГц |
Изготовитель | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||||
| 2G301 | /15 | 50 | 175 | NAS Etektronische Halbleiter Gmbh | NAS Elekt | |||||
Цоколёвка| Тип | Номера выводов | ||
|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | |
| 3 вывода | E | B | C |
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.