
Транзистор 0802 — это высокочастотный (30 МГц ≤ FГР < 300 МГц) кремниевый транзистор P-N-P типа средней мощности (300 мВт ≤ PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса ТО-105.
Технические данные| Транзистор | UКЭ0 /UКБ0 ПРОБ, В | IК, МАКС, мА | PК, МАКС мВт | h21Э | IК, мА | UКЭ, В | fгр, МГц | Изготовитель | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||||
| 802 | 80/100 | 500 | 400 | 40 | 100 | 1 | 120 | Advanced Semiconductor tnc | Advncd Semi | |
| American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC | |||||||||
| Space Power Electronics Inc | Space Power | |||||||||
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.