Транзистор BCX50.

Описание транзистора BCX50

Транзистор BCX50 — высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) проводимость типа P-N-P, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-236. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: MPSA56, BC640, 2SA1708, 2SB1116A, 2SB1437, 2N2904, KT501D.

Технические данные (datasheet)

Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э				fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.	IК мА	UКЭ В		Название (полное)	Название (сокращённое)
BCX50	80/80	1000	625	50				130	Advanced Semiconductor tnc	Advncd Semi
									American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
									Crimson Semiconductor Inc	CrimsonSimi
									Micro Electronics Ltd	Micro Еlecs
									Semiconductors Inc	Semi Inc
									Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип	Номера выводов
	1	2	3
3 вывода	B	C	E

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

h_21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.