Транзистор BCW33.

Поиск по сайту

Описание транзистора BCW33

Корпус транзистора BCW33

Транзистор BCW33 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа N-P-N, биполярный, кремниевый (Si), малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-236. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: BC846, BC848, BCW71, BCW72, BCW81, 2SC3323, SK9459, BC849, 2N1964, BC108C, BC548C, KT3130G9, KT3130G.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
BCW33 20/30 100 300 420 800 2 1 300 Allegro Microsystems Inc AlegroMicro
American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Continental Device India Ltd Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Iskra Semic Capacitors Industry Iskra Semic
Korea Electronics Со Ltd Korea Elecs
National Semiconductor Corp Natl Semi
Phitips International BV/Philips Components PhilipsComp
Rohm Со Ltd Rohm Со Ltd
Rohm Со Ltd Rohm Со Ltd
Semelab Plc Semelab
Zetex Semiconductors Zetex

Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода B E C


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.