Транзистор BC807.

Поиск по сайту

Описание транзистора BC807

Корпус транзистора BC807

Транзистор BC807 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа P-N-P, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса SOT-23. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE2407, BCX17, BCW68, 2SB1198, BCW68, 2N5817, KT505B.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
BC807 45/50 500 300 100 600 100 1 200 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Central Semiconductor Corp CentralSemi
Continental Device India Ltd Contin Dev
National Semiconductor Corp Natl Semi
Phitips International BV/Philips Components PhilipsComp
Samsung Electronics Inc Samsung
Siemens Aktiengeselischaft Siemens Akt
Zetex Semiconductors Zetex


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.