Транзистор BC635.

Описание транзистора BC635

Транзистор BC635 — высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) проводимость типа N-P-N, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE382, KC635, BC537, BC538, 2SC4485, 2SD1616, 2SD2181, 2N5818, KT504B, SC108, SC108A, SC108B, SC108C.

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

h_21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.