Транзистор 2N3646.

Описание транзистора 2N3646

Транзистор 2N3646 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( F_ГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-106. Аналог данного транзистора SK9470.

Технические данные ( datasheet )

Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э				fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.	IК мА	UКЭ В		Название (полное)	Название (сокращёное)
2N3646	60/60	500	300	100	300	150	10		Advanced Semiconductor tnc	Advncd Semi
									American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
									Central Semiconductor Corp	CentralSemi
									Continental Device India Ltd	Contin Dev
									Crimson Semiconductor Inc	CrimsonSimi
									Hi-Tron Semiconductor	Hi-Tron
									Semiconductors Inc	Semi Inc
									Semiconductor Technology Inc	SemiconTech
									Solid State Systems	Sld St Syst
									Solid State Industries Inc	SldSt Indus
									Solid State Inc	Solid Stinc
									Swampscott Electronics Со Inc	Swampscott
									Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип	Номера выводов
	1	2	3
3 вывода	E	B	C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.