Транзистор 2N2539.

Описание транзистора 2N2539

Транзистор 2N2539 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт). Аналоги данного транзистора: NTE123A, SK3444, GES2221, 2N3724. Тип корпуса TO-18.

Технические данные (datasheet)

Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э		IК мА	UКЭ В	fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.				Название (полное)	Название (сокращёное)
2N2539	30/60	800	500	50	150	150	10	250	American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
									Advanced Semiconductor tnc	Advncd Semi
									Crimson Semiconductor Inc	CrimsonSimi
									Hi-Tron Semiconductor	Hi-Tron
									NAS Etektronische Halbleiter Gmbh	NAS Elekt
									Semiconductors Inc	Semi Inc
									Semicoa	Semicoa
									Semiconductor Technology Inc	SemiconTech
									Solid State Systems	Sld St Syst
									Solid State Inc	Solid Stinc
									Swampscott Electronics Со Inc	Swampscott
									Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип	Номера выводов
	1	2	3
3 вывода	E	B	C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.