Транзистор 2N1035.

2N1035

Транзистор 2N1035 — это низкочастотный (F_ГР < 30 МГц) кремниевый транзистор P-N-P типа малой мощности (P_К,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналогами данного транзистора являются транзисторы NTE129, SK3025.

Технические данные (даташит)

Транзистор	UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В	IК, МАКС мА	PК, МАКС мВт	h21Э		IК мА	UКЭ В	fгр МГц	Изготовитель
				мин.	макс.				Название (полное)	Название (сокращёное)
2N1035	50/50	50	250					0,2	American Microsemiconductor Inc	AmerMicroSC
									Crimson Semiconductor Inc	CrimsonSimi
									Digitron Electronic Corp	Digitron
									Hi-Tron Semiconductor	Hi-Tron
									Semiconductor Technology Inc	SemiconTech
									Solid State Industries Inc	SldSt Indus
									Solid State Inc	Solid Stinc
									Swampscott Electronics Со Inc	Swampscott
									Transistor Со	Transistor
									Space Power Electronics Inc	Space Power

Цоколёвка

Тип	Номера выводов
	1	2	3
3 вывода	E	B	C

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.