Транзистор BC550.

Поиск по сайту

Описание транзистора BC550

Корпус транзистора BC550

Транзистор BC550 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа N-P-N, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE123AP, SK9459, BC184, BC414, 2SC2240, 2SC2674, 2SC2675, BC547C, 2N5818, KT3102B.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
BC550 45/50 100 625 110 800 2 5 250 Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Continental Device India Ltd Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Korea Electronics Со Ltd Korea Elecs
Micro Electronics Ltd Micro Еlecs
Mistral SPA Mistral SpA
National Semiconductor Corp Natl Semi
Phitips International BV/Philips Components PhilipsComp
Samsung Electronics Inc Samsung
Semelab Plc Semelab
Semiconductors Inc Semi Inc
Siemens Aktiengeselischaft Siemens Akt
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода B C E


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.