
Транзистор BC338 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа N-P-N, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналогами данного транзистора являются транзисторы: NTE123AP, SK3853, BCX20, BC635, 2N5818, KT504B, BC637, 2SD1225, 2SD1616, 2SD1616A.
| Транзистор | UКЭ0 / UКБ0 ПРОБ В |
IК, МАКС мА |
PК, МАКС мВт |
h21Э | fгр МГц |
Изготовитель | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| мин. | макс. | IК мА |
UКЭ В |
Название (полное) | Название (сокращённое) | |||||
| BC338 | 25/30 | 800 | 625 | 100 | 630 | 100 | 1 | 100 | American Microsemiconductor Inc | AmerMicroSC |
| Bharat Electronics Ltd/Semiconductor Division | Bharat | |||||||||
| Comset Semiconductors, SPRL | Comset Semi | |||||||||
| Continental Device India Ltd | Contin Dev | |||||||||
| Crimson Semiconductor Inc | CrimsonSimi | |||||||||
| ITT Corp/ITT Semiconductors/lntermetall | ITTSemlntrm | |||||||||
| Korea Electronics Со Ltd | Korea Elecs | |||||||||
| Micro Electronics Ltd | Micro Еlecs | |||||||||
| Motorola Semiconductor Products Inc | Motorola | |||||||||
| NAS Etektronische Halbleiter Gmbh | NAS Elekt | |||||||||
| National Semiconductor Corp | Natl Semi | |||||||||
| Samsung Electronics Inc | Samsung | |||||||||
| Semelab Plc | Semelab | |||||||||
| Semiconductors Inc | Semi Inc | |||||||||
| Advani Oerlikon Ltd/Semiconductors Ltd | Semi Ltd | |||||||||
| Siemens Aktiengeselischaft | Siemens Akt | |||||||||
| Space Power Electronics Inc | Space Power | |||||||||
| Тип | Номера выводов | ||
|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | |
| 3 вывода | E | B | C |
UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.
IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.
h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.