BC115

Транзистор BC115.

Поиск по сайту

Описание транзистора BC115

Корпус транзистора BC115

Транзистор BC115 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) проводимость типа N-P-N, биполярный, кремниевый (Si), малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-105. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE123, SK3444, BC140, BC237, 2N5825, KT342Ѓ.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
BC115 30/40 100 300 80 10 10 40 Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Semiconductors Inc Semi Inc
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4
4 вывода E B C Case


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.