Транзистор ASY76.

Поиск по сайту

Описание транзистора ASY76

Корпус транзистора ASY76

Транзистор ASY76 — низкочастотный ( FГР < 30 МГц) проводимость типа P-N-P, биполярный, германиевый (Ge), малой мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE100, SK3008, ACY17, GT403V.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
ASY76 20/40 1000 260 20 600 1 0,5 Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Comset Semiconductors, SPRL Comset Semi
Germanium Power Devices Corp Germanium Corp
Space Power Electronics Inc Space Power
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.