Транзистор 3N73.

Поиск по сайту

Описание транзистора 3N73

Корпус транзистора 3N73

Транзистор 3N73 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) типа N-P-N, биполярный, кремниевый, малой мощности (PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-72. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE107, SK3039.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
3N73 8/15 20 100 40 2 2 100 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Solid State Industries Inc SldSt Indus
Swampscott Electronics Со Inc Swampscott
Syntar Industries Inc Syntar Ind
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3 4
4 вывода E1 B C E2


UКЭ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

IК — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h21Э.

h21Э — схема с общим эмиттером - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

fГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.