Транзистор 2SC1175.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2SC1175

Корпус транзистора 2SC1175

Транзистор 2SC1175 — высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, биполярный, кремниевый, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1500 мВт). Аналоги данного транзистора — транзисторы: NTE289A, SK9411. Тип корпуса TO-92.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2SC1175 50/50 200 300 100 50 6 170
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Micro Electronics Ltd Micro Еlecs
Semiconductors Inc Semi Inc
Solid State Inc Solid Stinc
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода B C E


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.