Транзистор 2SA642.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2SA642

Корпус транзистора 2SA642

Транзистор 2SA642 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE290A, SK33114A.




ss

Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2SA642 15/30 300 250 65 50 1 150
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Micro Electronics Ltd Micro Еlecs
Semiconductors Inc Semi Inc
Solid State Inc Solid Stinc
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода B C E


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.