Транзистор 2N976.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N976

Корпус транзистора 2N976

Транзистор 2N976 — биполярный, германиевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса TO-18. Аналог данного транзистора это транзистор NTE160.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N976 10/15 100 100 30 20 0,5 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Digitron Electronic Corp Digitron
Hi-Tron Semiconductor Hi-Tron
Hybrid Semiconductors & Electronics Hybrid Semi
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
Solid State Devices Inc Sld St Dvcs
Solid State Inc Solid Stinc
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.