Транзистор 2N6303.

Поиск по сайту

Описание транзистора 2N6303

Корпус транзистора 2N6303

Транзистор 2N6303 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-5. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE129, SDT3503*, SDT3507*, SDT3777*, 2N3204*, 2N5333*.




Технические данные (datasheet)


Транзистор UКЭ0 /
UКБ0 ПРОБ
В
IК, МАКС
мА
PК, МАКС
мВт
h21Э fгр
МГц
Изготовитель
мин. макс. IК
мА
UКЭ
В
Название (полное) Название (сокращённое)
2N6303 80/80 3000 1000 30 150 1500 2 60 American Microsemiconductor Inc AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc Advncd Semi
Crimson Semiconductor Inc CrimsonSimi
Elm State Electronics lnc Elm State
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh NAS Elekt
РРС Products Corp PPC Product
Microsemi Corp/Power Technology Components Division Power Tech
Semelab Plc Semelab
Semiconductor Technology Inc SemiconTech
Silicon Transistor Corp SiliconTran
Transistor Со Transistor
Space Power Electronics Inc Space Power


Цоколёвка


Тип Номера выводов
1 2 3
3 вывода E B C


UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.


* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.